مواد نیمه هادی که معمولاً برای ساخت LED استفاده می شود
منبع نور LED اتصال PN است، چگونه ساخته می شود؟ مواد نیمه هادی که معمولاً برای ساخت ال ای دی استفاده می شوند کدامند؟
ساختار اساسی یک دیود ساطع کننده نور یک اتصال PN نیمه هادی است. هنگامی که یک ولتاژ رو به جلو به اتصال PN اعمال می شود، حامل های اقلیت تزریق می شوند و ترکیب مجدد حامل های اقلیت مکانیسم کار دیود ساطع کننده نور است. اتصال PN به ساختاری با نواحی P و N مجاور در یک بلور اشاره دارد. معمولاً با انتشار، کاشت یون یا رشد بر روی یک کریستال از یک نوع رسانایی برای تولید یک لایه نازک از نوع رسانایی دیگر تشکیل می شود. لایه ساخته شده است. اگر LED آبی سیلیکون کاربید با کاشت یون ساخته شده باشد، GaAs، GaAs0.60P0.40/GaAs{{10} }.35P0.65: N/GaP، GaAs0.15P0.85: N/GaP، GaP: ZnO/GaP با روش انتشار LED های مادون قرمز، قرمز، نارنجی، زرد، قرمز، در حالی که GaAlAs، InGaN، InGaAlP فوق العاده بالا ساخته شدند. LED های روشنایی همگی از اتصالات رشد ساخته شده اند، اتصالات GaAs، GaP:ZnO/GaP و GaP:N/GaP LEDPN نیز با اتصالات رشد یافته ساخته می شوند. در مقایسه با روش انتشار و روش کاشت یون، اتصال رشد به طور کلی برای ایجاد یک اتصال PN بیش از حد جبران می شود و ناخالصی های بی فایده بیش از حد است که منجر به کاهش کیفیت کریستال، افزایش عیوب و افزایش استفاده می شود. نوترکیبی غیر تابشی، که منجر به کاهش راندمان نوری می شود.
مواد نیمه هادی که معمولاً برای تولید ال ای دی ها استفاده می شود عمدتاً شامل مواد نیمه هادی مرکب III-V مانند آرسنید گالیم، فسفید گالیم، آرسنید آلومینیوم گالیم، فسفر آرسنید گالیم، نیترید گالیوم ایندیم، ایندیم گالیم آلومینیوم فسفر و غیره و همچنین ترکیبات گروه IV و غیره است. نیمه هادی ها کاربید سیلیکون، ترکیب روی سلنید گروه II-VI و غیره.
